包含GAAFET是谁发明的的词条

百科问答网今天要给大家分享的是有关GAAFET是谁发明的的知识，希望对于各位朋友学习的过程中有帮助。

文章目录：

• 1、全球首个3nm芯片将量产，三星造？
• 2、石墨烯芯片方向对了，绕过5nm光刻机，能救华为吗？
• 3、英特尔专利侵权中科院？索赔2亿或被禁售芯片

全球首个3nm芯片将量产，三星造？

三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周内）使用其 3GAE （早期 3 纳米级栅极全能）制造工艺开始大批量生产。该公告不仅标志着业界首个3nm级制造技术，也是第一个使用环栅场效应晶体管（GAAFET）的节点。

三星在财报说明中写道：“通过世界上首次大规模生没庆缓产 GAA 3 纳米工艺来增强技术领先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）

三星代工的 3GAE 工艺技术 是该公司首枯模个使用 GAA 晶体管的工艺，三星官方将其称为多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)。

三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 节点。三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。

理论上，与目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有许多优势。在 GAA 晶体管中，沟道是水平的并且被栅极包围。GAA 沟道是使用外延和选择性材料去除形成的，这允许设计人员通过调整晶体管通道的宽度来精确调整它们。通过更宽的沟道获得高性能，通过更窄的沟道获得低功耗。这种精度大大降低了晶体管泄漏电流（即降低功耗）以及晶体管性能可变性（假设一切正常），这意味着更快的产品交付时间、上市时间和更高的产量。此外，根据应用材差稿料公司最近的一份报告，GAAFET 有望将cell面积减少 20% 至 30% 。

说到应用，它最近推出的用于形成栅极氧化物叠层的高真空系统 IMS（集成材料解决方案）系统旨在解决 GAA 晶体管制造的主要挑战，即沟道之间的空间非常薄以及沉积多晶硅的必要性。在很短的时间内在沟道周围形成层栅氧化层和金属栅叠层。应用材料公司的新型 AMS 工具可以使用原子层沉积 (ALD)、热步骤和等离子体处理步骤沉积仅 1.5 埃厚的栅极氧化物。高度集成的机器还执行所有必要的计量步骤。

三星的 3GAE 是一种“早期”的 3nm 级制造技术，3GAE 将主要由三星 LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个 SF 的其他 alpha 客户使用。请记住，三星的 LSI 和 SF 的其他早期客户倾向于大批量制造芯片，预计 3GAE 技术将得到相当广泛的应用，前提是这些产品的产量和性能符合预期。

过渡到全新的晶体管结构通常是一种风险，因为它涉及全新的制造工艺以及全新的工具。其他挑战是所有新节点引入并由新的电子设计自动化 (EDA) 软件解决的新布局方法、布局规划规则和布线规则。最后，芯片设计人员需要开发全新的 IP，价格昂贵。

外媒：三星3nm良率仅有20%

据外媒Phonearena报道，三星代工厂是仅次于巨头台积电的全球第二大独立代工厂。换句话说，除了制造自己设计的 Exynos 芯片外，三星还根据高通等代工厂客户的第三方公司提交的设计来制造芯片。

Snapdragon 865 应用处理器 (AP) 由台积电使用其 7nm 工艺节点构建。到了5nm Snapdragon 888 芯片组，高通回到了三星，并继续依靠韩国代工厂生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1。这是目前为三星、小米、摩托罗拉制造的高端 Android 手机提供动力的 AP。

但在 2 月份，有报道称三星 Foundry 在其 4nm 工艺节点上的良率仅为 35%。这意味着只有 35% 的从晶圆上切割下来的芯片裸片可以通过质量控制。相比之下，台积电在生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus 时实现了 70% 的良率。换句话说，在所有条件相同的情况下，台积电在同一时期制造的芯片数量是三星代工的两倍。

这就导致台积电最终收到高通的订单，以构建其剩余的 Snapdragon 8 Gen1 芯片组以及 Snapdragon 8 Gen 1 Plus SoC。我们还假设台积电将获得制造 3nm Snapdragon 8 Gen 2 的许可，即使高通需要向台积电支付溢价以让该芯片组的独家制造商在短时间内制造足够的芯片。

尽管三星最近表示其产量一直在提高，但《商业邮报》的一份报告称，三星 3nm 工艺节点的产量仍远低于公司的目标。虽然三星代工厂的全环栅极 (GAA) 晶体管架构首次推出其 3 纳米节点，使其在台积电（台积电将推出其 2 纳米节点的 GAA 架构）上处于领先地位，但三星代工厂在其早期 3 纳米生产中的良率一直处于10% 至 20%的范围 。

这不仅是三星需要改进的极低良率，而且比 Sammy 在 4nm Snapdragon 8 Gen 1 中所经历的上述 35% 良率还要糟糕。

Wccftech 表示，据消息人士称，三星将从明年开始向客户发货的 3nm GAA 芯片组的第一个“性能版本”实际上可能是新的内部 Exynos 芯片。据报道，三星一直在为其智能手机开发新的 Exynos 芯片系列，但现阶段尚不清楚它们是否会使用 3nm GAA 工艺节点制造。

台积电和三星很快就会有新的挑战者，因为英特尔曾表示，其目标是在 2024 年底之前接管行业的制程领导地位。它还率先获得了更先进的极紫外 (EUV) 光刻机。

第二代 EUV 机器被称为High NA 或高数值孔径。当前的 EUV 机器的 NA 为 0.33，但新机器的 NA 为 0.55。NA 越高，蚀刻在晶圆上的电路图案的分辨率就越高。这将帮助芯片设计人员和代工厂制造出新的芯片组，其中包含的晶体管数量甚至超过了当前集成电路上使用的数十亿个晶体管。

它还将阻止代工厂再次通过 EUV 机器运行晶圆以向芯片添加额外的功能。ASML 表示，第二代 EUV 机器产生的更高分辨率图案将提供更高的分辨率将使芯片特征小 1.7 倍，芯片密度增加 2.9 倍。

通过首先获得这台机器，英特尔将能够朝着从台积电和三星手中夺回制程领导地位的目标迈出一大步。

台积电3nm投产时间曝光

据台媒联合报报道，在晶圆代工三强争霸中，台积电和三星在3纳米争战，始终吸引全球半导体产业的目光。据调查，一度因开发时程延误，导致苹果新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P的台积电3纳米，近期获得重大突破。台积电决定今年率先以第二版3纳米制程N3B，今年8月于今年南北两地，即新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效电晶体（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。

据台积电介绍，公司的3纳米（N3）制程技术将是5纳米（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。N3制程技术的开发进度符合预期且进展良好，未来将提供完整的平台来支援行动通讯及高效能运算应用，预期2021年将接获多个客户产品投片。此外，预计于2022下半年开始量产。

而如上所述，晶圆18厂将是台积电3nm的主要生产工厂。资料系那是，台积电南科的Fab 18是现下的扩产重心，旗下有P1 P4共4座5纳米及4奈厂，以及P5 P8共4座3纳米厂，而P1 P3的Fab 18A均处于量产状态，至于P4 P6的Fab 18B厂生产线则已建置完成，而Fab 18B厂，即3纳米制程产线，早在去年年年底就已开始进行测试芯片的下线投片。

在芯片设计企业还在为产能“明争暗斗”的时候，晶圆制造领域又是另外一番景象。对晶圆制造厂来说，眼下更重要的是3nm的突破。谁率先量产了3nm，谁就将占领未来晶圆制造产业的制高点，甚至还会影响AMD、英伟达等芯片巨头的产品路线图。

毫无疑问，在3nm这个节点，目前能一决雌雄的只有台积电和三星，但英特尔显然也在往先进制程方面发力。不过从近日的消息来看，台积电和三星两家企业在量产3nm这件事上进行的都颇为坎坷。Gartner 分析师 Samuel Wang表示，3nm 的斜坡将比之前的节点花费更长的时间。

近日，一份引用半导体行业消息来源的报告表明，据报道，台积电在其 3nm 工艺良率方面存在困难。消息来源报告的关键传言是台积电发现其 3nm FinFET 工艺很难达到令人满意的良率。但到目前为止，台积电尚未公开承认任何 N3 延迟，相反其声称“正在取得良好进展”。

众所周知，台积电3nm在晶体管方面采用鳍式场效应晶体管（FinFET）结构，FinFET运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。其实，FinFET晶体管走在3nm多多少少已是极限了，再向下将会遇到制程微缩而产生的电流控制漏电等物理极限问题，而台积电之所以仍选择其很大部分原因是不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。特别对于客户来说，既不用有太多设计变化还能降低生产成本，可以说是双赢局面。

从此前公开数据显示，与5nm芯片相比，台积电3nm芯片的逻辑密度将提高75%，效率提高15%，功耗降低30%。据悉，台积电 3nm 制程已于2021年3 月开始风险性试产并小量交货，预计将在2022年下半年开始商业化生产。

从工厂方面来看，中国台湾南科18厂四至六期是台积电3nm量产基地。客户方面，从上文可以看出，英特尔、苹果、高通等都选择了台积电。大摩分析师Charlie Chan日前发表报告称，台积电在2023年的3nm芯片代工市场上几乎是垄断性的，市场份额接近100%。

不同于台积电在良率方面的问题，三星在3nm的困难是3 纳米GAA 制程建立专利IP 数量方面落后。据南韩媒体报道，三星缺乏3 纳米GAA 制程相关专利，令三星感到不安。

三星在晶体管方面采用的是栅极环绕型 (Gate-all-around，GAA) 晶体管架构。相比台积电的FinFET晶体管，基于GAA的3nm技术成本肯定较高，但从性能表现上来看，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，满足一定的珊极宽度要求，可以表现为同样工艺下，使用GAA架构可以将芯片尺寸做的更小。

平面晶体管、FinFET与GAA FET

与5nm制造工艺相比，三星的3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。三星在去年6月正式宣布3nm工艺制程技术已经成功流片。此外，三星还曾宣布将在 2022 年推出 3nm GAA 的早期版本，而其“性能版本”将在 2023 年出货。

目前，在工厂方面，此前有消息称三星可能会在美国投资170亿美元建设3nm芯片生产线。在客户方面，三星未有具体透露，但曾有消息称高通、AMD 等台积电重量级客户都有意导入三星 3nm 制程，但介于上述提到的韩媒报道高通已将其3nm AP处理器的代工订单交给台积电，三星3nm客户仍成谜。

在Pat Gelsinger于去年担任英特尔CEO之后，这家曾经在代工领域试水的IDM巨头又重新回到了这个市场。同时，他们还提出了很雄壮的野心。

在本月18日投资人会议上，英特尔CEO Pat Gelsinger再次强调，英特尔2nm制程将在2024年上半年可量产，这个量产时间早于台积电，意味2年后晶圆代工业务与台积电竞争态势会更白热化。

虽然在3nm工艺方面，英特尔没有过多的透露，但是Digitimes去年的研究报告分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。

在工厂方面，英特尔曾强调将斥资800亿欧元在欧洲设厂，英特尔德国负责人Christin Eisenschmid受访时透露，将在欧洲生产2nm或推进更小的芯片。英特尔将2nm作为扩大欧洲生产能力的重要关键，以避免未来在先进技术竞争中落后。

总的来说，在3nm节点，台积电、三星和英特尔谁会是最后的赢家可能只有交给时间来判定，但从目前情势来看，台积电或略胜一筹。

3nm已经到了摩尔定律的物理极限，往后又该如何发展？这已经成为全球科研人员亟待寻求的解法。目前，研究人员大多试图在晶体管技术、材料方面寻求破解之法。

上述三星在3nm制程中使用的GAA晶体管就是3nm后很好的选择，GAA设计通道的四个面周围有栅极，可减少漏电压并改善对通道的控制，这是缩小工艺节点时的关键。据报道，台积电在2nm工艺上也将采用GAA晶体管。

纳米线是直径在纳米量级的纳米结构。纳米线技术的基本吸引力之一是它们表现出强大的电学特性，包括由于其有效的一维结构而产生的高电子迁移率。

最近，来自 HZDR 的研究人员宣布，他们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线的理论预测。在实验中，研究人员制造了由 GaAs 核心和砷化铟铝壳组成的纳米线。最后，结果表明，研究人员确实可以通过对纳米线施加拉伸应变来提高纳米线的电子迁移率。测量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为，他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。

最近，英特尔一项关于“堆叠叉片式晶体管（stacked forksheet transistors）”的技术专利引起了人们的注意。

英特尔表示，新的晶体管设计最终可以实现3D和垂直堆叠的CMOS架构，与目前最先进的三栅极晶体管相比，该架构允许增加晶体管的数量。在专利里，英特尔描述了纳米带晶体管和锗薄膜的使用，后者将充当电介质隔离墙，在每个垂直堆叠的晶体管层中重复，最终取决于有多少个晶体管被相互堆叠在一起。

据了解，英特尔并不是第一家引用这种制造方法的公司，比利时研究小组Imec在2019年就曾提出这个方法，根据 Imec 的第一个标准单元模拟结果，当应用于 2nm 技术节点时，与传统的纳米片方法相比，该技术可以显着提高晶体管密度。

垂直传输场效应晶体管（VTFET）由IBM和三星共同公布，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术。新技术将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的将晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。

据 IBM 和三星称，这种设计有两个优点。首先，它将允许绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到 1 纳米阈值之外。同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。他们表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。

其实，对于3nm以后先进制程如何演进，晶体管制造只是解决方案的一部分，芯片设计也至关重要，需要片上互连、组装和封装等对器件和系统性能的影响降至最低。

点击文末【阅读原文】，可查看本文原文链接！

晶圆 集成电路 设备 汽车 芯片 存储 台积电 AI 封装

原文链接！

石墨烯芯片方向对了，绕过5nm光刻机，能救华为吗？

前几天，i奇趣儿的文章介绍了荷兰公司ASML发明5nm光刻机的历程。

5nm光刻机来之不易，ASML耗时20年，华为芯片困局难解

当下，华为遭遇芯片困局，缺少的正是光刻机。

如果我们自研光刻机，需要攻克多个难题。

这个时候，我们不妨主动打破这个局面，换道超车。于是，有人想到了碳基芯片。

提到碳基芯片，必须要先说一下现在的硅基芯片。

当下的光刻机已经可以生产5nm工艺芯片，可是，这已经接近物理极限。

想要进一步突破，太难了，台积电3nm芯片最快也要到2022年才能量产。

虽然说ASML已经设计好了1nm的光刻机，可距离量产还有一段时间。

需要强调的是，在20nm以后，芯片漏电情况很严重。

华人科学家胡正明发明的FinFET技术，成功打破摩尔定律，使得芯片工艺才得以继续突破。

不过，胡正明教授认为，5nm左右就是物理极限，再往前进漏电状况会加剧，芯片能耗会加剧。

当下的5nm芯片，已经出现此类问题。比如高通骁龙888、苹果A14和华为海思麒麟9000，在功耗方面都有“翻车”的迹象。

台积电的2nm工艺，必须要继续改良，或许要用上GAAFET技术。

同时，受制于摩尔定律，硅基芯片是有终点的。

芯片是由晶体管组成的，晶体管的核心部件是COMS管。

COMS管的构造包括：源极、栅极和漏极。

我们迟盯野提到的芯片工艺，7nm、5nm指的是栅极的最小线宽（可以理解为COMS管长度）。

芯片是通过纯净的硅制造而来，硅原子之间的距离大概是0.6nm。

举例说明，12nm的芯片沟道上，大约有20个硅原子。

而工艺误差和硅元素的不稳定性，会导致原子丢失（大数定律），这会影响芯片的实际性能表现。

这个时候，量子隧穿会导致漏电效应和短沟道效应。

通俗来说，芯片制程越先进，沟道越短，那么这种影响就会越大。

最终，晶体管数量没法再增加，摩尔定律失效。

从物理学和统计学角度来看，硅基芯片的终点一定会到来，极限在1nm左右。

我们刚提到的FinFET和GAAFET技术，可以改善栅极对电流的控制能力，从而提升了芯片工艺制程。

这种方法是有终点的。

所以呢，科学家正在想别的办法：寻找硅之外的新材料，比如石墨烯，以此为基础，打造碳基芯片。

碳基芯片有两个方向：“碳纳米管芯片”和“石墨烯芯片”。

北大在碳纳米管方向有所突破，已经研制出单片光电集成芯片。

中科院的团队已经制造出8英寸的石墨烯晶圆。

我们重点说石墨烯，与硅对比，石墨烯有这些亮点。

石墨烯是最薄的纳米材料，厚度只有0.335nm；它也足够硬，比钢铁的强度高200倍。

同时，石墨烯的导电性是硅的100倍，导热性比铜强10倍。

我们可以得出结论，石墨烯这种材料是可靠的。

石墨烯芯片可以则如做到1nm以下，同样的工艺制程，石墨烯芯片性能会更强，功耗会更低。

目前，中芯国际已经可以生产14nm芯片，假设我们可以量产石墨烯芯片。在当前的工艺条件下，石墨烯芯片的实际表现会超过台积电5nm芯片。

石墨烯芯片看来是个不错的方向呢，问题来了，制造这玩意难度大吗？

首先，我们要提炼纯净的石墨烯，这是难点之一。目前来看，成本相当高，提纯1克需要5000元。

其次，纯净的石墨烯没法做成逻辑电路，需要改良形态，或者加入新的材料，制造出有功能的结构，这是难点之二。

比如，我们提到过的碳纳米管芯片，原理是把石墨烯改造成碳纳米管，以此来充当半导体，石墨烯充当导电沟道。

现在的硅基芯片则不同，我们只需做提纯工作，地球上的硅元素太丰富了，成本也不高。纯净的硅晶片就是制造芯片的绝佳材料。

第三码喊呢，碳基芯片或许不需要光刻机，直接在石墨烯晶圆上切片、刻蚀和注入离子。虽然绕过了5nm光刻机，可碳基芯片的量产落地，肯定也需要用到类似的高精度设备。

解决以上问题，至少需要我们的科学家努力5-10年。

除此之外，还有其它的问题要解决吗？笔者认为肯定是有的。

可是，在硅基芯片终点即将到来的时候。利益集团为了巩固自己的红利，封锁华为。

这个时候，我们不得不自强，从其它方向突破。

笔者认为，碳基芯片是未来的一个方向。我们现在的努力，不管有没有结果，对未来都是有好处的。

首先，石墨烯是一种有用的材料，它不仅仅可以做芯片，还有更大的用处。

我们早一天行动，就多一分胜算。

现在我们说碳基芯片，说石墨烯，在很多人看来，可能只是一个笑话。

甚至有人调侃：“石墨烯最大的贡献是造就了无数的硕士、博士”。

毫无疑问，现在的石墨烯研究，还停留在理论水平。

可是， 科技 的发展进步需要一个过程，我们不能轻易放弃。

很多人都知道华为缺少光刻机，其实，华为设计芯片用的EDA软件也遭到了封锁。

当年，我们也有自己的芯片设计工具EDA熊猫系统。

1993年，EDA熊猫系统问世，1994年，国外巨头Cadence进入中国市场。随后，其它巨头也解除对我们的封锁，合力围剿熊猫EDA。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，与世界最先进的水平差距不到4年。

1985年，机电部45所研制的分步光刻机样机，与国际最高水平对比，差距不超过7年。

随后，我们开始引入外国设备，差距开始加大。

而外国巨头对我们的封堵也越发的丧心病狂。

2015年，上海微电子即将启动90 nm光刻设备量产。《瓦森纳协议》马上解除限制，荷兰ASML的64nm光刻机进入中国市场。

套路很清晰，当我们有突破的时候，对方就取消封锁，用价格战来瓦解我们。

我们现在研究碳基芯片，国外的科学家也在努力，这是未来的方向。

在碳基芯片领域，道阻且长，我们有可能弯道超车。早一点行动，多一分努力，就有希望。

短时间内，华为无法依靠碳基芯片 来打破困局。

我们要做的就是正视差距，努力追赶，同时，更不能妄自菲薄，放弃自己的核心成果。

英特尔专利侵权中科院？索赔2亿或被禁售芯片

众所周知，英特尔是全球数一数二的半导体巨头，不仅是应用于PC电脑、服务器等设备的X86芯片的专利大户，而且在芯片制造技术上，也拥有很强的市场地位。但是，英特尔最近有点上火。7nm工艺的失败导致英特尔的市值暴跌，首席工程师也被免职，还有更大的麻烦在后面。

国家知识产权局复审和无效审理部近日口头审理了专利号为201110240931.5的发明专利无效申请。无效请求人是英特尔（中国）有限公司，而专利权人为 中国科学院微电子研究所 。

这项专利的名称为：“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”，是一种FinFET专利。

据悉，这是英特尔为应对微电子所2018年发起的专利侵权诉讼而采取的措施。微电子所诉称，英特尔酷睿（Core）系列处理器侵犯了该项专利，要求英特尔停止侵权， 赔偿至少2亿元人民币 ，并承担诉讼费用，同时申请法院下达禁令。

英特尔先后5次提出无效

在此之前，英特尔已经先后5次在中美两地对涉案专利及其美国同族专利发起无效申请，但是不管是在美国还是中国，英特尔的申请最终都以失败告终。

无疑，英特尔对该项专利 提出无效 ，目的是想要翻盘。

既然涉案专利组合无论在中国还是美国，英特尔都没能够无效掉，说明其稳定性确实很高，英特尔在与微电子所的专利诉讼中已没有多少胜算，一再对同一专利提出无效申请有些拖时间的嫌疑。

本次复审委最新的审查决定尚未发布，不过雹裤结果应该没有太多悬念。

FinFET技术现阶段不可或缺

现在，FinFET技术已广泛应用于芯片制造中，几乎是全球主流晶圆厂的最佳选择。虽然英特尔现在在芯片制造技术上落后了，但是英特尔在FinFET技术的应用上却是最早的，其2011年的22纳米工艺，就已经开始使用该技术，随后台积电等才跟进。

台积电最近表示，其3纳米工艺，也会采用FinFET技术，可见FinFET技术具备不小的潜力，而下一代技术就是GAAFET。

中科院专利实力雄厚

微电子所在FinFET领域专利实力非常雄厚。公开信息显示，微电子所 专利数量和质量 都非常可观。截至目前，微电子所围绕集成电路、让含高可靠器件与电路、物联网等领域已经提交中国专利申请5000余件，国外专利申请500余件，转让专利158件，达成专利许可1505件。

国外专利咨询公司LexInnova在2015年进行的FinFET领域专利调查研究显示，中科院微电子所专利申请数量在该领域排名第11位， 专利申请质量被评估为全球第一。

英特尔时代落下帷幕？

英特尔一直引以为傲的，就是其领先的芯片制造能力。在过去数十年里，英特尔长时间处于技术领先地位。但是5G时代，英特尔失去了优势，甚至危机四伏。

2020年7月24日，英特尔公布了2020年第二季度财报。财报透露，由于7nm制程良率不理想，英特尔的7nmCPU产品较先前预期推迟了大约6个月。

这条消息一曝光，全球的整个半导体产业界为之坦肆笑震动，媒体纷纷报道： 美国英特尔时代终结了 。而另一方面，作为全球最大晶圆代工厂和苹果公司主要供应商，台积电在全球芯片代工市场上占据了一半的份额，是行业领头羊，三星以20%的市场份额排名第二。

还有消息称，英特尔已经将2021年18万片的6纳米芯片的代工订单交给了台积电。一旦了这个消息属实，就意味着英特尔已经放弃了过去多年的竞争优势，彻底失去了垄断地位。

逆水行舟，不进则退。 华为海思、中芯国际……正在崛起，英特尔时代或许真的回不去了。

一吐为快

事因 ：一提到滑梯我们都不陌生。一位上海大爷发明了一款救命滑梯。26层楼只用了仅仅90秒，成功逃脱。只需要按一下旁边的按钮，就可以使原本折叠在一旁的滑梯落下。现已获得国家专利。

问 ：你如何看待上海大爷发明救命滑梯专利？

答 ：厉害了！

PS：看了以上内容，您或有“不吐不快”

速到评论区“一吐为快”吧！

综上就是 baike.aiufida.com 小编关于GAAFET是谁发明的的知识的个人见解，如果能够提供给您解决问题时的帮助，您可以在评论区留言点赞哟。