外延是谁发明的（外延的概念）

admin 发明家 2023-05-07 12 0 外延是谁发明的

百科问答网今天要给大家分享的是有关外延是谁发明的的知识，希望对于各位朋友学习外延的概念的过程中有帮助。

文章目录：

1、LED等是谁发明的
2、什么是liquid phase epitaxy效应
3、外延片以及LED芯片工艺问题
4、谁能详细解答什么是中宫格、米字格、回宫格、九宫格？

LED等是谁发明的

中村修二，

中村修二（Shuji Nakamura），1954年5月22日出生于日本伊方町，毕业于日本德岛大学，日裔美籍电子工程学家，美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院材料系教授。

中村修二于1993年在日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)就职期间，基于GaN开发了高亮度蓝色LED，从而广为人知。当时，开发一种蓝色LED被认为是不可能的，此前的20年间只有红色和绿色LED。

2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。

扩展资料

中村修二教授的创新使得LED生产商能够生产三原色（红、绿和蓝）LED，从而使实现1600万色成为可能。或许最为重要的是，LED行业利用这种新技术来开始白色LED（半导体生态光源）的商业化生产。

1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在纳慎皮蓝光洞差LED方面的杰出成就，中村教授获得了一系列荣誉，包括仁科纪念奖（1996），IEEE Jack A.莫顿奖，英国顶级科学奖。

富兰克林奖章（2002），2003年中村教授入选美国孝蚂国家工程院（NAE）院士，2006年获得千禧技术奖。 2000年，中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。他获得100多项专利，并发表了200多篇论文。

参考资料来源：百度百科-中村修二

外延是谁发明的（外延的概念）

什么是liquid phase epitaxy效应

liquid phase epitaxy 液相外延

液相外延【liquid phase epitaxy】由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方法。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质行判段外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种，其中倾斜法是在生长开始前，使石英管内的石英容器向某一方向倾斜，并将溶液和衬底分别放在容器内的两端；垂直法是在生长开始前，将溶液放在石墨坩锅中，而将衬底放在位于溶液上方的衬底架上；滑舟法是指外延生长过程在具有多个溶液槽的滑动石墨舟内进行。在外延生长过程中，可以通过四种方法进行溶液冷却：平衡法、档誉突冷法、过冷法和两相法。

与其他外延方法相比；它具有如下的优点：1）生长设备比较简单，；2）有较高的生长速率；冲首3）掺杂剂选择范围广；4）晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低；5）晶体纯度高，生长系统中没有剧毒和强腐蚀性的原料及产物，操作安全、简便等。

LPE的不足在于，当外延层与衬底晶格常数差大于1%时，不能进行很好的生长。其次，由于分凝系数的不同，除生长很薄的外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组合均匀性遇到困难。再者LPE的外延层表面一般不如气相外延好。

外延片以及LED芯片工艺问题

1.外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部裂塌梁分构成。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN),衬底材料主要有蓝宝石，硅，肆运碳化硅三种，量子阱一般为5个，通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)。这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入(一台MOCVD一般要好几千万)。

2.外延片的检测一般分为两大类:

一是光学性能检测，主要参数包括工作电压，光强，波长范围，半峰宽，色温，显色指数等等，这些数据可以用积分球测试。

二是可靠性检测，主要参数包括光衰，漏电，反压，抗静电，I-V曲线等等，这些数据一般通过老化进行测试。

3.需要指出的是，并没有白光LED芯片，只有白光LED灯珠/管，即需要进行封装才能获得白光小LED灯，也叫灯珠，管子。

白光衫老LED一般通过两种途径获得：

一是通过配光，将红绿蓝三色芯片进行配比封装获得白光LED.

二是通过荧光粉转换蓝光LED，从而获得白光LED.

本人正从事相关行业，无关技术机密的东西都可以说一下。