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谁有我敬仰的科学家的作文600字急要快
科学相互而美丽，纯洁而崇高，数不清的科学巨匠们键肢侍用自己的智慧和无私的奉献精神为科学发展献出了宝贵的生命，他们的精神使我敬佩，而今天所说的这位科学家就是“发明大王”爱迪生。
爱迪生是美国人，是举世闻名的发明大王。他虽然聪明爱动脑筋，但因为总在课堂上经常提出一些“无厘头”的问题，所以被人们认为是“脑子有问题”的孩子。8岁时就被小学老师的妈妈教，他以学习兴趣很浓厚，尤其是科学，每次妈妈带他去郊外玩，他都会提出问题自己研究。
就是这样一个可爱的小孩也曾被几次开除。有一次，他带了一瓶黄磷，准备在卖报空闲时做实验，谁矢因为火车剧烈震动。瓶子被打翻了，列车瞬间燃烧，爱迪生闯了大祸，列车长一个狠狠的耳光警告爱迪生。但这点小难算什么，仍旧扑不灭爱迪生心中那团“科学之火”。爱迪生虽然疼得头嗡嗡直响，连耳朵也听不见声音了，这对于一个人来说是多么可怕的事，但爱迪生靠着自己坚毅不屈的精神依旧稿吵作试验。
说爱迪生是发明大王不仅仅是造就电话而让他得到殊荣，而是他用自己平时善于发现而来的。在他12岁的夏天，爱迪生所在的小镇下了一场特大暴雨，倾盆的大雨把小镇变成了一片汪洋。小城公路、铁路全部封锁，小城变成了孤城。“怎么办呢？”这个小小的12岁孩子焦急地想，终于他想到了，“对！汽笛！”爱迪生用汽笛声反复发出一份“汽笛电报”。过了一段时间，终于远处传来了回答的汽笛声，中断的联络又奇特的恢复了。饥悔爱迪生用特别的方式救了全镇人，并发明了史上每一份电报—汽笛电报。
爱迪生一生以坚忍不拔的毅力探索，他刻苦学习，努力钻研，在失败面前毫不畏缩，毫不气馁的精神谁又能做到？就像爱迪生的一句名言一样“天才是百分之九十九的汗水加百分之一的灵感”，我以后，也一定要向他学习，努力让自己更优秀！
请问谁知道由线电压计算相电压的计算公式
①对三角形接线，线电压就等于相电压；
②对星形接线，则线电压与相电压之间的关系为UAB=UAN-UBN、UBC=UBN-UCN和UCA=UCN-UAN。
若三相电源的相电压为正序（负序）对迹液稿称组，则三相线电压也为正序（负序）对称组。这对三角形电源（或三角形负载）是不言而姿孝喻的。对星形电源（或星形负载埋芦），以正序对称组为例，有：
UAB=UAN-UBN= √3UAN
UBC=UBN-UCN= √3UBN
UCA=UCN-UAN=√3 UCN
可见，在对称三相电路中，不论三相电源或三相负载，在三角形接法时有Ul=Up，在星形接法时有Ul= √3Up，这里，Ul和Up分别为线电压和相电压的有效值。
扩展资料
从发电厂出来的都是三根火线（线电压）。在用变压器升压输送出去，用到的点是用降压变压器降压到400V（依旧是三根火线线电压）。
零线是从降压变压器的绕组的三组线圈的接点里引出来的，变压器是星型的，这里的四根线齐了。
在通过配电柜分别接到用户（负载）。三根火线一般命名为A、B、C，零线为N。用380V的线电压是接A、B、C。我们家庭是用220V 相电压。400与380不等。是的，那里的20V电压消耗在线路等其他设备里。
参考资料来源：百度百科-线电压
参考资料来源：百度百科-相电压
交流电机控制芯片
用两个继电器(或IGBT什么的)做隔离用，任意改变两根线的的接通后状态就行了。比如当正向转动时候让A-B-C接通，要就反向的话就驱动继电器(或IGBT什么的)变成A-C-B就可以反向了。
“交流电机”：是用于实现机械能和交流电能相互转换的机械。轮猜由于交流电力系统的巨大发展，交流电机已成为最常用的电机。交流电机与直流电机相比，由于没有换向器（见直流电机的换向），因此结构简单，制造方便，比较牢固，容易做成高转速、高电压、大电流、大容量的电机。交流电机功率的覆盖范围很大，从几瓦到几十万千瓦、甚至腊乱型上陪蔽百万千瓦。20世纪80年代初，最大的汽轮发电机已达150万千瓦。[1-2] 交流电机是由美籍塞尔维亚裔科学家尼古拉·特斯拉发明的。
集成块的命名法是什么?
集成电路的命名 目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们则袜识别集成电路带来很大的 困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。 （只写了前缀〕 1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕 AD：A/D技术'转换器； DA：D/A转换器； CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应； LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕； LP：线性低功耗电路。 2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路； CDM；CMOS大规模电路。 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路； MMS：存储器电路； MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。 4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品。 A：组合元件； B：双极型数字电路； C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。 例：uPC、uPA等。 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路； LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路； TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路； HD：数字电路； HM：RAM电路； HN：ROM电路； 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路； HB、HC：CMOS电路。 例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。 部分集成电路制造公司名称及型号前缀 先进微器件公司 〔美国〕 AM 模拟器件公司 〔美国〕 AD 仙童半导体公司 〔美国〕 F、uA 富士通公司 〔日本〕 MB、MBM 日立公司 〔日本〕 HA、HD、HM、HN 英特尔公司 〔美国〕 I 英特西尔公司 〔美国? ICL、ICM、IM 松下电子公司 〔日本? AN 史普拉格电气公司 〔美国〕 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司 〔日本〕 M 摩托罗拉半导渗橘体公司 〔美国? MC、MLM、MMS 国家半导体公司 〔美国〕 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司 〔日本〕 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司 〔日本〕 NJM 冲电气工业公司 〔日本〕 MSM 飞利浦元件公司 〔荷兰〕 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司 〔韩国〕 KA、KM、KS 山肯电气有限公司 〔日本〕 STR 三洋电气有限公司 〔日本〕 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司 〔意大利〕 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司 〔日本〕 LH、LR、IX 西门子公司 〔德国〕 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司 〔美国〕 NE、SE、ULN 索尼公司 〔日本〕 BX、CX 东芝公司 〔日本〕 TA、TC、TD、TM 2 一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管（f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃孙喊激恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管技术'晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 美国半导体分立器件型号命名方法 三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
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